鳍型装置系统和方法专利登记公告

专利名称：鳍型装置系统和方法

摘要：本发明揭示一种鳍型装置系统和方法。在特定实施例中，揭示一种制造晶体管的方法，其包含在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极，以及在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极。所述方法还包含形成凸起的源极-漏极通道(“鳍”)，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047779.2

专利申请（专利权）人：高通股份有限公司

专利发明（设计）人：宋森秋;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;韩秉莫

主权项：一种制造晶体管的方法，所述方法包括：在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极；在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极；以及形成凸起的源极?漏极通道(“鳍”)，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。

专利地区：美国