太阳能电池及制造所述太阳能电池的方法专利登记公告

专利名称：太阳能电池及制造所述太阳能电池的方法

摘要：本发明涉及由第一导电型半导体基底(1)制造太阳能电池的方法，所述半导体基底具有正面(2)和背面(3)。所述方法依次包括：对所述正面纹理化(102)以形成具纹理的正面(2a)；通过第一导电型掺杂剂的扩散在具纹理的正面中形成(103)第一导电型掺杂层(2c)和在背面中形成(103)第一导电型背电场层(4)；通过适用于保留具纹理的正面的纹理的蚀刻步骤从具纹理的正面除去(105；104a)第一导电型掺杂层；通过使第二导电型掺杂剂扩散到具纹理的正面中在具纹理的正面上形成(106)第二导电型层(6)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048218.4

专利申请（专利权）人：荷兰能源建设基金中心

专利发明（设计）人：L·J·格林斯;G·李;P·C·巴顿;R·C·G·内伯;A·F·史塔生;Z·胡

主权项：由第一导电型半导体基底制造太阳能电池的方法，所述半导体基底具有正面和背面，所述方法包括：对所述正面纹理化以形成具纹理的正面以及对所述背面纹理化以形成具纹理的背面；部分平滑处理所述具纹理的背面，以及任选部分平滑处理所述具纹理的正面；通过第一导电型掺杂剂的扩散在所述背面中形成第一导电型背电场层；和通过使第二导电型掺杂剂扩散到所述具纹理的正面中在该具纹理的正面上形成第二导电型层。

专利地区：荷兰