用于薄膜太阳能电池形成的硅墨水、对应方法和太阳能电池结构专利登记公告

专利名称：用于薄膜太阳能电池形成的硅墨水、对应方法和太阳能电池结构

摘要：本发明提供了一种高品质硅墨水，用于形成具有p-n结的薄膜太阳能电池内的多晶层。可烧结随墨水沉积的粒子以形成硅膜，该硅膜可为本征膜或掺杂膜。硅墨水可具有不超过约250nm的z平均二次粒径，该粒径通过对墨水样品进行动态光散射来测定，如墨水最初具有较大浓度可稀释到0.4重量百分比。在一些实施例中，本征层可为非晶硅部分与晶体硅部分的复合物。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048224.X

专利申请（专利权）人：纳克公司

专利发明（设计）人：刘国钧;克利福德·M·莫里斯;伊戈尔·奥尔特曼;乌马·斯里尼瓦桑;希夫库马尔·基鲁沃卢

主权项：一种用于形成薄膜太阳能电池结构的方法，其包含：沉积一层包含元素硅粒子的墨水，所述墨水具有不超过约250nm的z平均二次粒径，所述粒径通过对墨水样品进行动态光散射来测定，如墨水最初具有较大浓度可稀释到0.4重量百分比；以及烧结所述元素硅粒子以形成多晶层作为p?n结二极管结构的元件，所述总体结构包含p掺杂元素硅层和n掺杂元素硅层。

专利地区：美国