聚硅烷-聚硅氮烷共聚物及其制备和使用方法专利登记公告

专利名称：聚硅烷-聚硅氮烷共聚物及其制备和使用方法

摘要：聚硅烷-聚硅氮烷共聚物包含式(Ⅰ)的聚硅烷单元和式(Ⅱ)的聚硅氮烷单元，其中每个R1和每个R2各自独立地选自H、Si和N原子，R3选自H、Si或C原子，a≥1，b≥1，且值(a+b)≥2。该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物可与溶剂一起被配制在组合物中。该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物可用于填充沟槽的PMD和STI应用，其中所述沟槽具有100nm或更小的宽度和至少(6)的高宽比。可通过用伯胺胺化每个分子具有(2)个或更多个硅原子的全氯聚硅烷制备该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048280.3

专利申请（专利权）人：道康宁公司

专利发明（设计）人：韦·陈;E·S·梅尔;B·T·源;S·王;马克·A·瓦努斯;周晓兵

主权项：一种聚硅烷?聚硅氮烷共聚物，包括：式的聚硅烷单元，和式的聚硅氮烷单元，其中R1和R2各自独立地选自H、Si和N原子，且R3选自H、Si或C原子，a≥1，b≥1，且值(a+b)≥2；且其中所述共聚物不含SiC键。FDA0000157140560000011.tif,FDA0000157140560000012.tif

专利地区：美国