β型赛隆荧光体的制造方法专利登记公告

专利名称：β型赛隆荧光体的制造方法

摘要：本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，该方法不需要添加构成β型赛隆荧光体的元素以外的金属元素，并且能够提高发光强度。即，是一种在氮化物或氧氮化物的结晶中含有作为发光中心的光学活性元素的荧光体的制造方法，该方法通过加热处理含有金属化合物粉末和光学活性元素化合物的混合物的烧结工序、冷却烧结物后在氮气气氛下对其进行加热处理的高温退火工序、在稀有气体气氛下加热处理高温退火处理物的稀有气体退火工序和用酸处理稀有气体处理物的工序，来制造β型赛隆荧光体。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048286.0

专利申请（专利权）人：电气化学工业株式会社

专利发明（设计）人：市川真义;长崎浩德

主权项：一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述荧光体在氮化物或氧氮化物的结晶中含有作为发光中心的光学活性元素，所述制造方法的特征在于，包括：对含有氮化硅、铝化合物粉末以及光学活性元素化合物的混合物进行加热处理的烧结工序；在冷却烧结物后，在氮气气氛下对该烧结物进行加热处理的高温退火工序；在稀有气体气氛下加热处理高温退火处理物的稀有气体退火工序；和用酸处理稀有气体处理物的工序。

专利地区：日本