用于制备碳化硅粉体的系统和方法专利登记公告

专利名称：用于制备碳化硅粉体的系统和方法

摘要：本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备方法和系统。即，本发明的高纯碳化硅粉体的制备方法包括：在混合器中制备由硅源和碳源组成的混合物的步骤；和通过在大于0.03托且等于和小于0.5托的真空度和在等于或大于1300℃且等于和小于1900℃的温度下加热所述混合物来合成碳化硅(SiC)粉体的步骤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048287.5

专利申请（专利权）人：LG伊诺特有限公司

专利发明（设计）人：金柄淑;韩姃恩;金相明

主权项：一种碳化硅粉体的制备方法，其特征在于：步骤(a)，在混合器中制备由硅源和碳源组成的混合物；和步骤(b)，通过在大于0.03托且等于和小于0.5托的真空度和在等于或大于1300℃且等于和小于1900℃的温度下加热所述混合物来合成碳化硅(SiC)粉体。

专利地区：韩国