用于探测半导体衬底中的裂纹的方法和装置专利登记公告

专利名称：用于探测半导体衬底中的裂纹的方法和装置

摘要：本发明涉及一种用于探测平面半导体衬底中的裂纹的方法和装置，该半导体衬底具有两个对置的侧面(30、31)和包绕的边沿面，半导体衬底例如为硅晶片和太阳能电池。该方法和装置基于对裂纹(34)处发生偏转的光的检测，所述光被引导到半导体衬底(3)的边沿面中并且在侧面之一上在裂纹位置处出射。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048527.1

专利申请（专利权）人：肖特公开股份有限公司

专利发明（设计）人：安德烈亚斯·奥特纳;克劳斯·格斯特纳;希尔马·冯坎佩;米夏埃尔·史特尔策

主权项：用于探测平面式的半导体衬底(3)中的裂纹(34)的方法，所述半导体衬底(3)具有两个对置的侧面(30、31)和包绕的边沿面(33)，在所述方法中，?将电磁辐射引导到所述半导体衬底(3)的边沿面中，其中，?所述电磁辐射具有如下的波长，所述波长至少部分透射通过所述半导体衬底(3)的材料，从而?所述电磁辐射从在所述边沿面(33)上的入射部位通过在所述侧面(30、31)上的反射而被引导达到至所述边沿面(33)的对置点的距离的至少一半，并且其中，?借助对所导入的所述电磁辐射敏感的、起成像作用的光学探测器(7)来探测

专利地区：德国