长期成膜时的稳定性优异的In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体溅射靶专利登记公告
专利名称：长期成膜时的稳定性优异的In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体溅射靶
摘要：本发明提供一种溅射靶，其含有In、Zn、及Ga，包含表面与内部的化合物的晶型实质上相同的氧化物烧结体。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080048855.1
专利申请（专利权）人：出光兴产株式会社
专利发明（设计）人：糸濑将之;矢野公规
主权项：一种溅射靶，其特征在于，含有In、Zn、及Ga，包含表面与内部的化合物的晶型实质上相同的氧化物烧结体。
专利地区：日本
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