结构化硅电池阳极专利登记公告

专利名称：结构化硅电池阳极

摘要：提供了通过电化学腐蚀及后续用钝化剂进行涂覆的工艺制造多孔硅的方法，涂覆的多孔硅可用于制备阳极和电池。所述的多孔硅能够与大量的锂离子合金化，具有至少1000mAh/g的容量，并且经至少60个充/放电循环还保持这一性能。特定的pSi形式提供非常高的容量(3000mAh/g)达至少60个循环，这是硅的理论值的80％。第三个循环后的库仑效率在95-99％之间。最佳的容量超过3400mAh/g，最佳的循环寿命超过240个循环，并且容量和循环寿命可根据应用的需要而变化。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048952.0

专利申请（专利权）人：威廉马什莱斯大学;洛克希德马丁公司

专利发明（设计）人：S·L·比斯沃尔;M·S·黄;M·撒克尔;S·L·辛萨堡;M·J·艾萨克森

主权项：一种制备涂覆的多孔硅的方法，包括：(a)在电化学池中，在电流条件下，腐蚀硅以产生多孔硅，所述多孔硅具有孔深度为5?100μm、直径从10nm至10μm的孔，以及(b)用至少1nm的钝化材料涂覆所述多孔硅，其中所述涂覆的多孔硅具有达至少50个循环的至少1000mAh/g的充电容量。

专利地区：美国