通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法专利登记公告

专利名称：通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法

摘要：在非易失性存储器中的数据错误不可避免地随使用和每个单元存储的位的更高密度而增加。为了保证可接受的质量，传统的错误校正码(“ECC”)必须校正高达统计总体的远尾端的最大数量的错误位。本方面的存储器被配置为具有以较少错误操作但具有较低密度存储的第一部分以及以更高密度操作但更不强健存储的第二部分。如果在向第二部分写入一组数据之后发生(在远尾端处的)过量错误位，则该数据被适应性地重写到将产生更少错误位的第一部分。优选地，数据初始被写到也在第一部分中的缓存，以为任何重写提供源数据。因此，可以使用不需要校正远尾端的更

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049016.1

专利申请（专利权）人：桑迪士克科技股份有限公司

专利发明（设计）人：陈健

主权项：一种操作非易失性存储器的方法，包括：将所述存储器配置为第一和第二部分，第一部分具有以比第二部分的错误余量更大的错误余量来操作的存储器单元；将一组输入数据的第一副本编程在第二部分中；在预定时间之后从所述第二部分中读取该第一副本以检查错误；以及如果该第一副本中的错误小于预定数量的错误位，则将该第一副本标识为在随后的读取操作中的有效数据；否则将该组输入数据的第二副本编程在该第一部分中，并将所述第二副本标识为在随后的读取操作中的有效数据。

专利地区：美国