等离子体CVD装置、及硅薄膜的制造方法专利登记公告

专利名称：等离子体CVD装置、及硅薄膜的制造方法

摘要：本发明提供一种等离子体CVD装置，所述等离子体CVD装置由真空容器构成，所述真空容器内部具有放电电极板和安装有薄膜形成用基板的接地电极板。在所述等离子体CVD装置中，具有与上述放电电极板隔开间隔地相对设置的接地盖板，上述放电电极板具有气体导入孔和将从该气体导入孔导入的气体排出的气体排出孔，所述气体导入孔的一端与薄膜形成用原料气体供给设备连接，另一端在上述放电电极板的下面开口，上述接地盖板具有与上述气体导入孔相对应的第2气体导入孔，并且具有与上述气体排出孔相对应的第2气体排出孔。在所述等离子体CVD装置中，

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049061.7

专利申请（专利权）人：东丽株式会社

专利发明（设计）人：小森常范;纲冈孝夫;坂本桂太郎

主权项：一种等离子体CVD装置，具有下述(a)～(f)：(a)真空容器；(b)排气设备，用于将所述真空容器内维持在减压状态；(c)放电电极板，设置在所述真空容器内；(d)接地电极板，与所述放电电极板隔开间隔地相对设置，支承薄膜形成用基板；(e)高频电源，对所述放电电极板外加高频电力；及(f)原料气体供给设备，向所述真空容器内供给薄膜形成用原料气体，其中，所述等离子体CVD装置具有下述(g)～(j)：(g)多个气体导入孔和多个气体排出孔，所述多个气体导入孔设置在所述放电电极板中，一端与所述气体供给设备连接，另一端在

专利地区：日本