用于相变存储器的双脉冲写入专利登记公告

专利名称：用于相变存储器的双脉冲写入

摘要：本发明公开了一种方法，包括：在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入；第二步骤的电流低于第一步骤；验证相变材料的参数，其中如果参数高于置位态的目标，则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证，直到参数低于目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049214.8

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：D·考;J·卡尔布;B·克勒恩

主权项：一种方法，包括：在第一步骤中从第一复位态至第二复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从所述第二复位态至置位态对所述相变材料进行写入，所述第二步骤的电流低于所述第一步骤的电流；验证所述相变材料的参数，其中如果所述参数高于所述置位态的目标，则重复所述第一步骤中的所述写入、所述第二步骤中的所述写入以及所述验证，直到所述参数低于所述目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。

专利地区：美国