用于增加存储器密度的方法、结构及装置专利登记公告

专利名称：用于增加存储器密度的方法、结构及装置

摘要：本发明揭示非易失性存储器装置，其包含包括多个垂直叠加的二极管的存储器串。所述二极管中的每一者可布置于沿电极的长度的不同位置处且可通过电介质材料而与邻近二极管间隔开。所述电极可将所述存储器串的所述二极管彼此电耦合且电耦合到另一存储器装置，例如MOSFET装置。本发明还揭示形成所述非易失性存储器装置的方法以及中间结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049437.4

专利申请（专利权）人：美光科技公司

专利发明（设计）人：山·D·唐;约翰·K·扎胡拉克

主权项：一种非易失性存储器装置，其包含：多个晶体管，其安置于衬底上，所述多个晶体管中的每一晶体管电耦合到一字线及一位线，所述字线与所述位线在至少一个节点处彼此相交；多个存储器串，其安置于多个存储器单元上方，每一存储器串包含多个二极管；及电极，其将所述多个存储器串中的至少两者电连接到所述至少一个节点，所述多个二极管布置于沿所述电极的长度间隔的位置处。

专利地区：美国