半导体器件以及用于制造半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

摘要：在n-漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n-漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n-漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n-漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n-漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049553.6

专利申请（专利权）人：富士电机株式会社

专利发明（设计）人：根本道生;吉村尚

主权项：一种半导体器件，包括：第一导电型的第一半导体层；设置在所述第一半导体层的一个主表面上且杂质浓度大于所述第一半导体层的第二导电型的第二半导体层；设置在所述第一半导体层的另一主表面上且杂质浓度大于所述第一半导体层的第一导电型的第三半导体层；以及设置在所述第一半导体层中且杂质浓度大于所述第一半导体层、并且杂质浓度分布的局部最大值小于所述第二半导体层和所述第三半导体层的杂质浓度的第一导电型的宽缓冲区，其中所述宽缓冲区的净掺杂浓度的总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2，

专利地区：日本