β型赛隆荧光体的制造方法专利登记公告

专利名称：β型赛隆荧光体的制造方法

摘要：本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述β型赛隆荧光体在β型赛隆中固溶有铕离子，所述制造方法包括混合β型塞隆荧光体的原料的混合工序；烧结混合工序后的原料形成β型赛隆荧光体的烧结工序；对烧结工序后的β型赛隆荧光体进行HIP处理的HIP处理工序；对HIP处理工序后的β型赛隆荧光体进行退火处理的退火处理工序和对退火处理工序后的β型赛隆荧光体进行酸处理的酸处理工序。根据该β型赛隆荧光体的制造方法，能够得到发光强度优异的β型赛隆荧光体。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049555.5

专利申请（专利权）人：电气化学工业株式会社

专利发明（设计）人：野见山智宏;山田铃弥;桥本久之

主权项：一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述β型赛隆荧光体在β型赛隆中固溶有铕离子，所述制造方法包括下述工序：混合β型赛隆荧光体的原料的混合工序；将混合工序后的原料进行烧结，形成β型赛隆荧光体的烧结工序；对烧结工序后的β型赛隆荧光体进行热等静压处理即HIP处理的HIP处理工序；对HIP处理工序后的β型赛隆荧光体进行退火处理的退火处理工序；和对退火处理工序后的β型赛隆荧光体进行酸处理的酸处理工序。

专利地区：日本