太阳能电池及其制造方法专利登记公告

专利名称：太阳能电池及其制造方法

摘要：根据本发明实施例的太阳能电池包括：后电极，形成在衬底上并且被第一通孔隔开；光吸收层，形成在包括所述第一通孔的所述后电极上；第二通孔，通过所述光吸收层露出所述后电极；缓冲层，形成在所述光吸收层的上表面和侧表面；前电极层，形成在所述缓冲层上；前电极层在所述缓冲层上；以及连接线，从所述前电极层延伸并且形成在所述第二通孔中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049592.6

专利申请（专利权）人：LG伊诺特有限公司

专利发明（设计）人：林真宇

主权项：一种太阳能电池，包括：后电极，形成在衬底上并且被第一通孔隔开；光吸收层，形成在包括所述第一通孔的所述后电极上；第二通孔，通过所述光吸收层露出所述后电极；缓冲层，形成在所述光吸收层的上表面和侧表面上；前电极层，形成在所述缓冲层上；以及连接线，从所述前电极层延伸并且形成在所述第二通孔中。

专利地区：韩国