采用化学机械抛光的半导体晶片再利用专利登记公告

专利名称：采用化学机械抛光的半导体晶片再利用

摘要：减少半导体给体晶片损伤的方法和装置包括以下步骤：(a)旋转抛光垫，旋转半导体给体晶片，向抛光垫施加抛光浆料，将半导体给体晶片和抛光垫压在一起；以及(b)旋转抛光垫和半导体给体晶片，中断施加抛光浆料，向抛光垫施加清洗流体，并将半导体给体晶片和抛光垫压在一起，其中步骤(a)和步骤(b)至少依次进行两次，在步骤(a)的至少两个相继时段中减小以下至少一个参数：(i)将半导体给体晶片和抛光垫压在一起的压力，(ii)抛光浆料中磨料的平均粒度，以及(iii)浆料在水和稳定剂中的浓度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049837.5

专利申请（专利权）人：康宁股份有限公司

专利发明（设计）人：J·班凯蒂斯;M·J·莫尔

主权项：一种减少半导体给体晶片表面损伤的方法，所述方法包括以下步骤：(a)旋转抛光垫，旋转半导体给体晶片，向所述抛光垫施加抛光浆料，将所述半导体给体晶片和所述抛光垫压在一起；以及(b)旋转所述抛光垫和所述半导体给体晶片，中断施加所述抛光浆料，向所述抛光垫施加清洗流体，并将所述半导体给体晶片和所述抛光垫压在一起，其中步骤(a)和步骤(b)至少依次进行两次，在步骤(a)的至少两个相继时段中减小以下至少一个参数：(i)将所述半导体给体晶片和所述抛光垫压在一起的压力，(ii)所述抛光浆料中磨料的平均粒度，以及(iii)所

专利地区：美国