通过结晶学蚀刻获得的超发光二极管专利登记公告

专利名称：通过结晶学蚀刻获得的超发光二极管

摘要：一种光电子装置，其包括：有源区域和波导结构，所述波导结构用以提供对从所述有源区域所发射光的光学限制；位于所述装置的相对端上的一对小面，其具有相反表面极性；和已通过结晶学化学蚀刻工艺实施粗糙化的小面中的一者，其中所述装置为基于非极性或半极性(Ga，In，Al，B)N的装置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049856.8

专利申请（专利权）人：加利福尼亚大学董事会

专利发明（设计）人：马修·T·哈迪;林佑达;太田　裕朗;史蒂文·P·登巴尔斯;詹姆斯·S·斯佩克;周司·中村;凯瑟琳·M·凯尔克纳

主权项：一种基于非极性或半极性III?氮化物的光电子装置，其包括：有源区域；波导结构，其用以提供对从所述有源区域所发射光的光学限制；和第一小面和第二小面，其位于所述波导结构的相对端上，其中所述第一小面和所述第二小面具有相反表面极性且所述第一小面具有粗糙化表面。

专利地区：美国