利用位于一个或一个以上表面上的氧化锌纳米棒阵列的发光二极管结构和产生所述氧化锌纳米棒阵列的低成本方法专利登记公告

专利名称：利用位于一个或一个以上表面上的氧化锌纳米棒阵列的发光二极管结构和产生所述氧化锌纳米棒阵列的低成本方法

摘要：本发明涉及制造具有改良光提取效率的发光二极管的方法，其包括通过从水性溶液生长多个氧化锌ZnO纳米棒在基于III-氮化物的LED的一个或一个以上表面上沉积所述ZnO纳米棒，其中所述表面与III-氮化物的c-平面表面不同且透射由所述LED生成的光。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049857.2

专利申请（专利权）人：加利福尼亚大学董事会

专利发明（设计）人：弗雷德里克·F·兰格;雅各布·J·理查森;丹尼尔·B·汤普森;英格丽德·科斯洛;河俊硕;史蒂文·P·登巴尔斯;周司·中村

主权项：一种制造具有改良光提取效率的发光二极管LED的方法，其包括：在基于III?氮化物的LED的一个或一个以上透光表面上生长多个氧化锌ZnO纳米棒，其中所述ZnO纳米棒是在至少一个与所述基于III?氮化物的LED的c+?平面表面不同的透光表面上生长。

专利地区：美国