稳定的表面波等离子源专利登记公告

专利名称：稳定的表面波等离子源

摘要：一种表面波等离子(SWP，Surface?Wave?Plasma)源，该SWP源包括：电磁波发射器，其被配置为通过在邻近等离子的所述电磁波发射器的等离子表面上生成表面波，来以所需的电磁波模式将电磁能量耦合于等离子，其中，所述电磁波发射器包含具有多个槽(slot)的开槽天线(slot?antenna)。该SWP源进一步包括：第一凹穴结构，其在所述等离子表面被形成，其中，所述第一凹穴结构与所述多个槽中的第一排槽基本对齐；第二凹穴结构，其在所述等离子表面被形成，其中，所述第二凹穴结构与所述多个槽中的第二排槽部分

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049912.8

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：李晨;赵剑平;罗纳德·V·布莱温尼克;梅里特·芬克

主权项：一种表面波等离子源，包括：电磁波发射器，其被配置为通过在邻近等离子的所述电磁波发射器的等离子表面上生成表面波，来以所需的电磁波模式将电磁能量耦合于等离子，其中，所述电磁波发射器包含开槽天线，所述开槽天线具有贯穿于其中所形成的多个槽，被配置为将所述电磁能量从所述开槽天线上的第一区域耦合至所述开槽天线下的第二区域；共振板，其位于所述第二区域，并具有包含所述电磁波发射器的等离子表面的所述共振板的下表面；第一凹穴结构，其在所述等离子表面被形成，所述第一凹穴结构与所述多个槽中的第一排槽基本对齐；第二凹穴结构，其在所

专利地区：日本