半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：目的在于提供一种具有新型结构的半导体装置。包括：第一配线；第二配线；第三配线；第四配线；第一晶体管，包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第一晶体管布置在包括半导体材料的衬底上方并且第二晶体管包括氧化物半导体层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049931.0

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;加藤清

主权项：一种半导体装置，包括：源极线；位线；第一信号线；多个第二信号线；多个字线；多个存储单元，在源极线和位线之间彼此并联；第一驱动器电路，构造为驱动所述多个第二信号线和所述多个字线，从而选择由输入到第一驱动器电路的地址信号从所述多个存储单元指定的存储单元；第二驱动器电路，构造为选择多个写入电位中的任何一个写入电位并将其输出到第一信号线；读取电路，构造为比较位线的电位和多个参考电位以读出数据；和电位产生电路，构造为产生所述多个写入电位和所述多个参考电位并将其提供给第二驱动器电路和读取电路，其中所述多个存储单元之一

专利地区：日本