半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：一种用于晶体管的氧化物半导体层，该氧化物半导体层是本征的或基本本征的并且在该氧化物半导体层的表面部分包括结晶区。从其中去除了将要作为电子施主（施主）的杂质的并且与硅半导体相比具有更大能隙的本征的或基本上本征的半导体被使用。晶体管的电特性能够通过控制设置于关于氧化物半导体层的彼此相对的两侧上的一对导电膜的电位来控制，它们各自具有绝缘膜布置于它们之间，使得形成于氧化物半导体层中的沟道的位置得以确定。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049953.7

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;三宅博之

主权项：一种半导体装置，包括：在基板之上的第一晶体管；以及在所述基板之上的第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自包括：第一电极层；在所述第一电极层之上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜之上的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上的第二电极层，所述第二电极层具有与所述第一电极层重叠的第一端部；在所述氧化物半导体层上的第三电极层，所述第三电极层具有与所述第一电极层重叠的第二端部；包括氧化物绝缘膜的第二绝缘膜，所述氧化物绝缘膜与所述第二电极层、所述第三电极层及所述氧化物半导体层接触；以及在所述第一电极层之上的第四电

专利地区：日本