半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：本发明提供了保持电势达较长时间且含有具稳定电特性的薄膜晶体管的固态图像传感器。当含有氧化物半导体层的薄膜晶体管的截止态电流被设置为1×10-13A或更少且该薄膜晶体管被用作固态图像传感器的重置晶体管和转移晶体管时，信号电荷存储部分的电势被保持不变，所以可改进动态范围。当可被用于互补金属氧化物半导体的硅半导体被用于外围电路时，可制造具有低功耗的高速半导体器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050573.5

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：小山润;山崎舜平

主权项：一种半导体器件，包括：在含有硅半导体的衬底上的像素部分，所述像素部分包括：掩埋于所述衬底中的光电转换元件部分；电连接至所述光电转换元件部分的转移晶体管；电连接至所述转移晶体管的信号电荷存储部分；电连接至所述信号电荷存储部分的重置晶体管；电连接至所述信号电荷存储部分的放大器晶体管；且其中所述转移晶体管的沟道形成区和所述重置晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体，且所述放大器晶体管的沟道形成区包括所述硅半导体。

专利地区：日本