基于纳米管的场发射装置和方法专利登记公告

专利名称：基于纳米管的场发射装置和方法

摘要：一种制造场发射显示器的阴极部分的方法包括制造大体平行的碳纳米管阵列的步骤，所述碳纳米管阵列在一个末端接合到大体平坦的基板。随后，将所述纳米管嵌入在延伸到纳米管与平坦基板的接合平面的聚合物基体中，其中所述聚合物基体允许所述纳米管中远离接合到所述平坦基板的末端的末端不被所述聚合物基体覆盖，以允许彼此电接触且与所接合的导体电接触。然后，从所述平坦基板卸下所述阵列，藉此制造使纳米管的先前接合末端大体位于一个平面中的表面，且随后将所述导体接合到不被所述聚合物基体覆盖且远离所述平面的纳米管末端阵列。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050714.3

专利申请（专利权）人：阿克伦大学

专利发明（设计）人：A·迪诺杰瓦拉;S·塞西

主权项：一种制造场发射显示器的阴极部分的方法，所述方法包括步骤：制造一个末端接合到大体平坦基板的大体平行的碳纳米管阵列；将所述纳米管嵌入延伸到所述纳米管与所述平坦基板的接合平面的聚合物基体中，其中所述聚合物基体允许所述纳米管中远离与所述平坦基板接合的所述末端的末端不被所述聚合物基体覆盖，以允许彼此电接触和与所接合的导体电接触；从所述平坦基板卸下所述阵列，藉此制造使所述纳米管的所述先前接合的末端大体位于一个平面中的表面；和将所述导体接合到不被所述聚合物基体覆盖且远离所述平面的纳米管末端阵列。

专利地区：美国