用于在基底上制备碳纳米管的方法专利登记公告

专利名称：用于在基底上制备碳纳米管的方法

摘要：本发明涉及用于在基底上制备碳纳米管的方法，所述方法包括用于使包括碳源、由氧化物化合物形成的前体源、以及可选的催化剂源的流在经过所述基底的同时通过化学气相沉积而在所述基底上生长所述纳米管的步骤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050956.2

专利申请（专利权）人：法国原子能及替代能源委员会

专利发明（设计）人：希里纳·卜拉欣;希卡姆·马斯可罗特

主权项：一种用于在基底上制备碳纳米管的方法，包括用于通过使包括碳源、氧化物化合物的前体源、以及可选的催化剂源的流在所述基底上经过，从而通过化学气相沉积在所述基底上生长所述纳米管的步骤。

专利地区：法国

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