CMP研磨液、以及使用其的研磨方法和半导体基板的制造方法专利登记公告

专利名称：CMP研磨液、以及使用其的研磨方法和半导体基板的制造方法

摘要：本发明的CMP研磨液的第1方式为，含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物和水，具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.00001质量％以上0.01质量％以下。本发明的CMP研磨液的第2方式为，含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物、使含有具有阴离子性取代基的乙烯基化合物作为单体成分的组合物聚合而得到的阴离子性高分子化合物或其盐、以及水，具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.000001质量％以上且不足0.05质量％。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051291.7

专利申请（专利权）人：日立化成工业株式会社

专利发明（设计）人：吉川茂;阿久津利明;深泽正人

主权项：一种CMP研磨液，其含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物和水，所述具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.00001质量％以上0.01质量％以下。

专利地区：日本