用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶、LED用蓝宝石单晶基板、发光元件以及它们的制造方法专利登记公告
专利名称：用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶、LED用蓝宝石单晶基板、发光元件以及它们的制造方法
摘要：本发明为杂质Ti的含量最优化的用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶、LED用蓝宝石单晶基板、发光元件以及它们的制造方法，将Ti含量多的氧化铝作为原料，在非活性气体气氛下在坩埚中熔融，使由蓝宝石单晶构成的晶种与得到的熔体接触，一边旋转一边提拉晶种，从而制造蓝宝石单晶的锭，冷却后，切取蓝宝石单晶基板，使该蓝宝石单晶基板的Ti含量为超过12ppm且100ppm以下，从而可以获得应变及气泡缺陷减少了的LED用蓝宝石单晶基板。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080051654.7
专利申请（专利权）人：昭和电工株式会社
专利发明（设计）人：楠木克辉
主权项：一种用于制造LED用蓝宝石单晶基板的蓝宝石单晶，其特征在于，Ti含量为超过12ppm且100ppm以下。
专利地区：日本
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