包含聚酰亚胺膜和电极的组合件以及与它们相关的方法专利登记公告

专利名称：包含聚酰亚胺膜和电极的组合件以及与它们相关的方法

摘要：本公开的组合件包含电极和聚酰亚胺膜。所述聚酰亚胺膜包含亚微米级填料和聚酰亚胺。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48，并且X∶Y的比率为20-80∶80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3∶1的长宽比

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051784.0

专利申请（专利权）人：E.I.内穆尔杜邦公司

专利发明（设计）人：B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯

主权项：组合件，包括：A)具有5微米至150微米厚度的聚酰亚胺膜，所述膜包含：a)衍生自以下物质的聚酰亚胺：i)至少一种芳族二酸酐组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，ii)至少一种芳族二胺组分，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合；并且其中基于所述聚酰亚胺的总二酸酐组分和总二胺组分计，所述二酸酐与二胺的摩尔比为48?52∶52?48，并且X∶Y的比率为20?80∶80?20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比；和

专利地区：美国