制备硅的方法专利登记公告
专利名称：制备硅的方法
摘要：本发明涉及改进的制备硅，优选太阳能硅的方法，其使用新型的高纯度模制品，特别是石墨电极，还涉及制备所述新型模制品的工业方法。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080051816.7
专利申请（专利权）人：赢创德固赛有限公司
专利发明（设计）人：A·卡尔;J·E·朗;H·劳勒德尔;B·弗林斯
主权项：制备硅的方法，所述硅优选为太阳能硅，其通过使用碳还原二氧化硅，其特征在于在电弧炉中进行所述方法，并且所述炉或电极的至少部分由石墨材料制备，所述石墨材料由碳材料得到，所述碳材料通过裂解至少一种碳水化合物，优选至少一种糖而得到。
专利地区：德国
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