MTW型沸石的制造方法专利登记公告

专利名称：MTW型沸石的制造方法

摘要：本发明的MTW型沸石的制造方法，特征在于：混合二氧化硅源、氧化铝源、碱源、锂源和水，使其成为以特定摩尔比表示的组成的反应混合物，（2）将SiO2/Al2O3比为10～500的不含有机化合物的MTW型沸石作为晶种使用，相对于上述反应混合物中的二氧化硅成分，以0.1～20重量%的比例在该反应混合物中添加上述晶种，（3）以100～200℃密闭加热添加有上述晶种的上述反应混合物。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052299.5

专利申请（专利权）人：日本化学工业株式会社;国立大学法人东京大学

专利发明（设计）人：板桥庆治;大久保达也;伊舆木健太

主权项：一种MTW型沸石的制造方法，其特征在于：（1）混合二氧化硅源、氧化铝源、锂源和水，使其成为以如下所示的摩尔比表示的组成的反应混合物，SiO2/Al2O3=12～200Na2O/SiO2=0.1～0.3Li2O/（Na2O+Li2O）=0.05～0.5H2O/SiO2=10～50（2）将SiO2/Al2O3比为10～500的不含有机化合物的MTW型沸石作为晶种使用，相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分，以0.1～20重量%的比例在该反应混合物中添加所述晶种，（3）以100～200℃密闭加热添加有所述晶种的所

专利地区：日本