光发射装置专利登记公告

专利名称：光发射装置

摘要：本发明说明了一种光发射装置（100），包括至少一个第一类型的发光二极管（1）；设置在第一类型的发光二极管（1）之后的转换元件（3）；至少一个第二类型的发光二极管（2）；用于运行第二类型的发光二极管（2）的控制电路（5）。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052319.9

专利申请（专利权）人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

专利发明（设计）人：S.凯泽;T.孔茨;J.穆沙韦克

主权项：一种光发射装置（100），包括：－至少一个第一类型的发光二极管（1），其带有用于产生电磁辐射的半导体本体（11）；－第一类型的发光二极管（1）之后设置的转换元件（3），其将电磁辐射的至少一部分转换为第一颜色的光（33A）；－至少一个第二类型的发光二极管（2），其带有用于产生第一颜色的光（33A）的半导体本体（22）；－辐射出射面（4），第一颜色的光（33A）从该辐射出射面出射；－控制电路（5），用于运行第二类型的发光二极管（2）；其中－转换元件（3）包含至少一种发光转换材料（300），其设计用于发射第一颜

专利地区：德国