半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：具备在半导体基板(1)的上方隔着层间绝缘膜(11)、(21)等而形成的外部连接用电极。外部连接用电极具有：露出上表面的焊盘金属层(8)；形成于该焊盘金属层(8)与半导体基板(1)之间的第1金属层(2)；贯通层间绝缘膜(21)而将焊盘金属层(8)和第1金属层(2)电连接，并且，形成于层间绝缘膜(21)的至少2个第1通孔(22)。第1通孔(22)彼此间的最大的间隔b，大于焊盘金属层(8)的宽度尺寸a。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052347.0

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：樱井大辅

主权项：一种半导体装置，其具备在半导体基板上隔着至少2层层间绝缘膜而形成的外部连接用电极，所述外部连接用电极具有：露出上表面的第1金属层；形成于所述第1金属层与所述半导体基板之间的第2金属层；形成于所述第1金属层与所述第2金属层之间的第3金属层；和贯通所述第2金属层与所述第3金属层之间的第1层间绝缘膜且将所述第2金属层和所述第3金属层电连接的至少2个第1通孔，所述第1通孔彼此间的最大的间隔，大于所述第1金属层的宽度尺寸。

专利地区：日本