形成于N-掺杂衬底上的多结太阳能电池专利登记公告

专利名称：形成于N-掺杂衬底上的多结太阳能电池

摘要：公开了“n-on-p”型多结太阳能电池结构，其利用了n型衬底用于III-V半导体材料的外延生长，其中“p-on-n”隧道结二极管设置在衬底与III-V半导体材料的一个或多个异质外延层之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052437.X

专利申请（专利权）人：太阳结公司

专利发明（设计）人：迈克尔·W·维摩;侯曼·B·禺恩;维基特·A·萨博尼斯;迈克尔·J·谢尔登

主权项：一种装置，包括：衬底，由n?掺杂半导体材料构成，并与金属导体电接触；p?on?n隧道结二极管，设置于所述衬底之上；一个或多个n?on?p结，设置于所述隧道结二极管之上；金属栅格，与最上层半导体电接触，其中所述衬底、所述p?on?n隧道结二极管、所述一个或多个n?on?p结以及所述金属栅格共同形成光伏装置。

专利地区：美国