半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明的目的在于，提供用于制造具有使用氧化物半导体形成的薄膜晶体管且具有稳定电特性的高度可靠的半导体器件的方法。半导体器件包括隔着栅绝缘膜与栅电极重叠的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极。源电极和漏电极包括混合物、金属化合物、或者包含具有低负电性的金属(诸如钛、镁、钇、铝、钨和钼)中的一种或多种的合金。源电极和漏电极中的氢浓度是氧化物半导体膜中的氢浓度的1.2倍、优选大于或等于它的5倍。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052545.7

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：秋元健吾;坂田淳一郎;及川欣聪;山崎舜平

主权项：一种半导体器件，包括：栅电极；隔着栅绝缘膜与所述栅电极相邻的氧化物半导体膜；以及与所述氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极包含负电性比氢的负电性低的金属，并且其中所述源电极和所述漏电极中的氢浓度大于或等于所述氧化物半导体膜中的氢浓度的1.2倍。

专利地区：日本