基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层和基于前者的半导体元件专利登记公告

专利名称：基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层和基于前者的半导体元件

摘要：第III族氮化物层在电子学和光电子学中的应用广泛。这种层的生长一般在如蓝宝石、SiC以及最近的Si(111)等表面上进行。此时所得到的层一般在生长方向上为极化的，或者具有c-轴取向。对于光电子学领域中的许多应用以及在SAW中的声学应用而言，非极化或半极化第III族氮化物的层的生长是受到关注或者必要的。根据本发明的方法实现了简单价廉的生长极化降低的第III族氮化物层，且无需衬底的预结构化。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052615.9

专利申请（专利权）人：阿祖罗半导体股份公司

专利发明（设计）人：A.达德加;A.克罗斯特;R.拉瓦什

主权项：基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，其特征在于在具有闪锌矿或金刚石结构且具有与(111)面的取向差大于9°的面的平面衬底上生长。

专利地区：德国