半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：一个目的是提供一种具有新的结构的半导体装置。该半导体装置包括：第一布线；第二布线；第三布线；第四布线；具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管；具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管。第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底上，并且，第二晶体管包括氧化物半导体层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052905.3

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;加藤清

主权项：一种半导体装置，包括：源极线；位线；信号线；以及字线，其中，在所述源极线和所述位线之间并联连接有多个存储器单元，其中，所述多个存储器单元之一包括：具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管；具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管；以及电容器，其中，所述第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底上，其中，所述第二晶体管包括氧化物半导体层，其中，所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个、以及所述电容器的一个电极彼此电连接，其中，所述源极线与所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个

专利地区：日本