甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法专利登记公告

专利名称：甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法

摘要：本发明涉及在具有基于无机磷酸盐或杂多酸盐结构的特定化学结构的催化剂的存在下，使通式(1)HnSi(OR)4－n(1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n为1～3的整数)所示的烷氧基硅烷在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法。本发明的制造方法，与溶剂的分离容易，反应快，原料物质的转化率高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080053035.1

专利申请（专利权）人：昭和电工株式会社

专利发明（设计）人：大野博基;大井敏夫;伊藤晴明;F·马赫穆托夫

主权项：一种甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法，是在催化剂的存在下，使通式(1)所示的烷氧基硅烷在气相中进行歧化反应来制造甲硅烷和四烷氧基硅烷的方法，HnSi(OR)4?n????(1)式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n为1～3的整数，所述制造方法的特征在于，使用选自下述通式(I)～(V)所示的化合物中的至少1种催化剂，(MI2O)z(MO2)(P2O5)x(H2O)y????(I)式中，M表示Zr、Ti、Sn或Si，MI表示氢原子、NH4或碱金属，x为0.5～4.5，y为0.15～6.5，z为0.15～3.5，(

专利地区：日本