垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法专利登记公告
专利名称：垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法
摘要：本公开提供一种垂直GaN基半导体二极管及其制造方法。GaN基πi-V族半导体装置包括：基底；p型欧姆电极层，在基底上；p型GaN基πi-V族化合物半导体层，在p型欧姆电极层上；n型GaN基πi-V族化合物半导体层，在p型GaN基πi-V族化合物半导体层上；n型欧姆电极层，在n型GaN基IE-V族化合物半导体层上。p型欧姆电极层是具有70％或更高的高反射率的Ag基高反射电极，n型GaN基E-V族化合物半导体层的表面经受形成光子晶体的工艺和表面粗糙化的工艺中的至少一种工艺。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080053614.6
专利申请（专利权）人：首尔OPTO仪器股份有限公司;浦项工科大学校产学协力团
专利发明（设计）人：李钟览
主权项：一种垂直GaN基发光二极管，所述GaN基发光二极管包括：基底；p型欧姆电极层，在基底上；p型GaN基III?V族化合物半导体层，在p型欧姆电极层上；n型GaN基III?V族化合物半导体层，在p型GaN基III?V族化合物半导体层上；n型欧姆电极层，在n型GaN基III?V族化合物半导体层上；其中，p型欧姆电极层是Ag基高反射电极，n型GaN基III?V族化合物半导体层在其表面上包括光子晶体和表面粗糙度中的至少一种。
专利地区：韩国
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