成膜装置的清洁方法、成膜方法以及成膜装置专利登记公告

专利名称：成膜装置的清洁方法、成膜方法以及成膜装置

摘要：在第1条件下，使阴极电极（11）以及阳极电极（12）间产生等离子体。接下来，在与第1条件不同的第2条件下，使等离子体产生。第2条件与第1条件相比，是使等离子体在阴极电极（11）与阳极电极（12）间向外周方向扩散的条件。由此，除了电极上的附着物以外，还能够迅速地去除设置在电极的外周附近的部件上的附着物。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080055541.4

专利申请（专利权）人：夏普株式会社

专利发明（设计）人：岸本克史;一色和彦

主权项：一种成膜装置的清洁方法，是去除附着在成膜装置具有的成膜室（10）内的硅系附着物的成膜装置（100）的清洁方法，该成膜装置使用通过对第1对电极（11、12）间施加交流电压而产生的等离子体，来进行硅系薄膜（92）的成膜，所述成膜装置的清洁方法具备：在第1条件下，使上述第1对电极间产生等离子体的工序；和在上述第1条件下使等离子体产生的工序之后，在与上述第1条件不同的第2条件下，使等离子体产生的工序，上述第2条件与上述第1条件相比，是使等离子体在上述第1对电极间向外周方向扩散的条件。

专利地区：日本