借助热等离子体生产高纯度铜粉末的方法专利登记公告

专利名称：借助热等离子体生产高纯度铜粉末的方法

摘要：本发明所公开的是一种生产高纯度铜(Cu)粉末材料的方法，所述高纯度铜(Cu)粉末材料能用于电子工业应用中溅射靶材的生产、穿透衬垫或者类似物。前述方法具有采用一种用来制备金属粉末的装置的配置方式，该装置由原料进料器、等离子喷枪和反应器组成，并且前述方法包括：使平均粒径为30到450μm的Cu粉末以2到30kg/hr的注入速率通过热等离子喷枪，由此制造一种平均粒径为5到300μm的Cu粉末。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080055710.4

专利申请（专利权）人：株式会社豊山

专利发明（设计）人：金大铉;李东雨;金仁达;崔尚永;李智勋;全甫珉

主权项：一种经由等离子体生产高纯度球形铜(Cu)粉末的方法，所述方法采用一种用来制备金属粉末的由原料进料器、热等离子喷枪和反应器构成的装置，所述方法包括：使平均粒径为30到450μm的Cu粉末以2到30kg/hr的注入速率通过所述热等离子喷枪和所述反应器，由此制造平均粒径为5到300μm的Cu粉末。

专利地区：韩国