用于辐射检测器晶体的光学干涉图案形成专利登记公告

专利名称：用于辐射检测器晶体的光学干涉图案形成

摘要：用于辐射检测器晶体的光学界面图案形成。一种辐射检测器被公开，它包含闪烁晶体和多个光电探测器，这些光电探测器被定位以检测闪烁晶体内产生的低能闪烁光子。该闪烁晶体使用表面下激光雕刻处理，以在晶体内产生点状缺陷，用于改变闪烁光子的路径。在一个实施例中，这些缺陷在单块晶体内定义多条边界，以划分单独检测器单元。在另一个实施例中，这些缺陷定义沿纵向改变的交互作用深度边界，以改变被晶体的相邻部分分享的光的量。在另一个实施例中，这些缺陷被均等地分布，以降低来自闪烁事件的光的侧向扩展。这些不同方面中的两个或多个方面，可以被

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056301.6

专利申请（专利权）人：华盛顿大学商业中心

专利发明（设计）人：T·K·勒维尔恩;W·C·J·亨特;R·S·米瑶卡;L·麦克多纳德

主权项：一种闪烁晶体型辐射检测器，包括：由闪烁材料形成的透明闪烁器块，该闪烁材料被配置成在释放大量低能光子的闪烁事件中与高能光子交互作用；和多个光电探测器，被定位以便接收至少一些来自闪烁事件的低能光子，并产生对应的输出信号；计算机系统，被配置成从该多个光电探测器接收输出信号，并计算闪烁器块内闪烁事件的位置；其中该闪烁器块包含用表面下激光雕刻在闪烁器块内建立的多个内部缺陷，且其中该多个内部缺陷被配置成改变闪烁器块内大量低能光子中的至少一些的路径。

专利地区：美国