SiC外延晶片及其制造方法专利登记公告
专利名称：SiC外延晶片及其制造方法
摘要：本发明提供一种降低三角缺陷和层积缺陷、载流子浓度和膜厚的均一性高、无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层的表面的三角形的缺陷密度为1个/cm2以下。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080056408.0
专利申请（专利权）人：昭和电工株式会社
专利发明（设计）人：武藤 大祐;百瀬 賢治;小田原 道哉
主权项：一种SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H?SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层的表面的三角形的缺陷密度为1个/cm2以下。
专利地区：日本
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