存储装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：存储装置及其制造方法

摘要：具备多个存储器单元和引出布线（12），该引出布线（12）对多个存储器单元共通地设置，多个存储器单元中的各个存储器单元具备形成在基板（1）上的晶体管（6）、以及电阻变化元件（10），该电阻变化元件（10）具有：下部电极（7）；上部电极（9），含有贵金属；以及电阻变化层（8），夹持在下部电极（7）和上部电极（9）之间；电阻变化层（8）的电阻值根据经由晶体管（6）施加在下部电极（7）和上部电极（9）之间的电脉冲而可逆地变化；引出布线（12）与多个存储器单元的上部电极（9）直接相接。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056694.0

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：有田浩二;三河巧

主权项：一种存储装置，具备：多个存储器单元；以及引出布线，对所述多个存储器单元共通地设置；所述多个存储器单元分别具备：多个晶体管，形成在基板上；以及多个电阻变化元件，具有下部电极、含有贵金属的上部电极、以及夹持在所述下部电极与所述上部电极之间的电阻变化层；根据经由所述晶体管施加在所述下部电极与所述上部电极之间的电脉冲，所述电阻变化层的电阻值可逆地变化；所述引出布线构成为与所述多个存储器单元的所述上部电极直接相接。

专利地区：日本