功率半导体开关元件的保护装置以及保护方法专利登记公告

专利名称：功率半导体开关元件的保护装置以及保护方法

摘要：一种在高电压下利用的IGBT等半导体开关元件的短路保护装置，即使不存在电流传感用的开关元件，也能简单且误动作的可能性较小地检测短路状态，保护半导体开关元件防止受到破坏。通过对集电极侧的电压采用高电阻(2)和检测用的电阻(3、4)进行分压，来将导通中的IGBT(1)的电流的大小检测为电压信息，根据该电压值来推定IGBT(1)中的功率损耗，并推定基于该功率损耗的发热量，在推定发热量超过了规定值时，按照逐渐减小栅极信号电压的方式进行限制来保护IGBT(1)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056700.2

专利申请（专利权）人：株式会社日立制作所

专利发明（设计）人：杉野友启;白滨秀文

主权项：一种功率半导体开关元件的保护装置，其特征在于，具备：设置在功率半导体开关元件的两端子间的电阻分压电路所构成的端子电压检测单元；功率损耗推定单元，其根据该端子电压检测单元的输出值来推定功率半导体开关元件的导通中的功率损耗；和保护单元，其对应于通过该功率损耗推定单元所推定的功率损耗超过了规定值的情况，使上述功率半导体开关元件的功率损耗减小。

专利地区：日本