用于减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的技术专利登记公告

专利名称：用于减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的技术

摘要：本发明揭示用于减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的技术。在一个特定示范性实施例中，该技术可实现为一种用于通过至少部分基于有效操作的频率而增加半导体存储器装置的刷新速率以减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的方法。该方法可包括接收包含第一子阵列地址的第一刷新命令以对与该第一子阵列地址相关联的存储器单元的第一逻辑子阵列执行第一刷新操作。该方法还可包括接收包含第二子阵列地址的第二刷新命令以对与该第二子阵列地址相关联的存储器单元的第二逻辑子阵列执行第二刷新操作，其中该第二刷新命令是在接收到该第一刷新命令一段时间

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057104.6

专利申请（专利权）人：美光科技公司

专利发明（设计）人：约格什·卢特拉;戴维·爱德华·菲施

主权项：一种用于通过至少部分基于有效操作的频率而增加半导体存储器装置的刷新速率以减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的方法，所述方法包括：接收包含第一子阵列地址的第一刷新命令以对与所述第一子阵列地址相关联的存储器单元的第一逻辑子阵列执行第一刷新操作；接收包含第二子阵列地址的第二刷新命令以对与所述第二子阵列地址相关联的存储器单元的第二逻辑子阵列执行第二刷新操作，其特征在于，所述第二刷新命令是在接收到所述第一刷新命令一段时间之后接收；以及在所述时间段期间执行若干并发刷新操作。

专利地区：美国