基于辐射剂量的成像探测器瓦片参数补偿专利登记公告

专利名称：基于辐射剂量的成像探测器瓦片参数补偿

摘要：一种成像系统（100）的探测器瓦片（116）包括光传感器阵列（204）；以及电耦合至所述光传感器阵列（204）的电子装置（208），其中所述电子装置包括剂量确定器（402），所述剂量确定器确定所述探测器瓦片（116）的沉积剂量以及产生指示所述沉积剂量的信号。在一个非限制性的示例中，该信号用于校正诸如增益和热系数的、可能随着辐射剂量变化的参数。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057215.7

专利申请（专利权）人：皇家飞利浦电子股份有限公司

专利发明（设计）人：M·A·查波;R·P·卢赫塔;R·A·马特森

主权项：一种成像系统（100）的探测器瓦片（116），包括：光传感器阵列（204）；以及电耦合至所述光传感器阵列（204）的电子装置（208），所述电子装置包括：剂量确定器（402），所述剂量确定器确定所述探测器瓦片（116）的沉积剂量并且产生指示所述沉积剂量的信号。

专利地区：荷兰