形成导电性氧化物膜的方法、导电性氧化物膜及其应用专利登记公告

专利名称：形成导电性氧化物膜的方法、导电性氧化物膜及其应用

摘要：在基底（2）上形成导电性氧化物膜（1）的方法，该方法包括如下步骤：将基底（2）引入反应空间，在基底（2）的沉积表面上形成预沉积物，和用化学剂处理沉积表面。在基底（2）的沉积表面上形成预沉积物的步骤包括在沉积表面上形成过渡金属氧化物的预沉积物，并随后清洗反应空间。用化学剂处理沉积表面的步骤包括用有机金属化学剂处理沉积表面，并随后清洗反应空间，从而形成包含氧、第一金属和过渡金属的氧化物。形成预沉积物和处理沉积表面的步骤交替重复，使得导电性氧化物膜（1）在基底（2）上形成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057435.X

专利申请（专利权）人：贝尼科公司

专利发明（设计）人：J·毛拉

主权项：在基底（2）上形成导电性氧化物膜（1）的方法，所述方法包括如下步骤：将所述基底（2）引入反应空间，在所述基底（2）的沉积表面上形成预沉积物，并用化学剂处理所述沉积表面，其特征在于，在所述基底（2）的沉积表面上形成所述预沉积物的步骤包括在所述沉积表面上形成过渡金属氧化物的预沉积物，并随后清洗所述反应空间，并且用化学剂处理所述沉积表面的步骤包括用包含第一金属的有机金属化学剂处理所述沉积表面，使得至少部分所述有机金属化学剂与至少部分所述预沉积物发生反应，并随后清洗所述反应空间，形成包含氧、第一金属和过渡金属的氧

专利地区：芬兰