不含碳自由基成分CVD膜的氧掺杂专利登记公告

专利名称：不含碳自由基成分CVD膜的氧掺杂

摘要：描述形成氧化硅层的方法。方法包括将自由基前体与自由基氧前体两者同时与不含碳的含硅前体结合的步骤。自由基前体与含硅前体之一包含氮。方法造成沉积含硅-氧-与-氮层于基板上。接着提高含硅-氧-与-氮层的氧含量以形成可能含有非常少量氮的氧化硅层。可在不同等离子体或相同等离子体中产生自由基氧前体与自由基前体。通过在含氧气氛存在下退火层而引起氧含量的提高，并通过在惰性环境中将温度提至更高而进一步提高薄膜的密度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057867.0

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：N·K·英格尔;A·B·马利克;E·O·索利斯;N·科瓦斯基;O·柳比莫瓦

主权项：一种在基板上形成氧化硅层的方法，该基板在基板处理腔室中的不含等离子体的基板处理区中，该方法包括：将含氢前体流入第一等离子体区以产生自由基前体，同时将含氧前体流入第二等离子体区以产生自由基氧前体；在所述不含等离子体的基板处理区中将所述自由基前体与所述自由基氧前体同时与不含碳的含硅前体结合，其中所述含氢前体与所述不含碳的含硅前体中的至少一个包含氮；在所述基板上沉积含硅?氧?与?氮层；及在含氧气氛中与退火温度下退火所述含硅?氧?与?氮层，以提高氧含量并降低氮含量以形成氧化硅层。

专利地区：美国