用于分析水和在水中清洗的衬底的方法专利登记公告

专利名称：用于分析水和在水中清洗的衬底的方法

摘要：公开了用于预测在使晶片与容器中的水接触之后在诸如半导体晶片（W）的衬底上沉积的污染物的量的方法。所述污染物可包括即使在晶片表面上沉积的污染物的量低于已知的系统的检测阈值水平时也会不利地影响晶片特性的材料。所述方法包括使所述晶片与水接触第一时长，所述晶片具有晶片表面；对所述晶片进行干燥；分析所述晶片以确定在所述晶片表面上的污染物；以及预测当使所述晶片与水接触短于所述第一时长的第二时长时在所述晶片上沉积的所述污染物的量。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058166.9

专利申请（专利权）人：MEMC电子材料有限公司

专利发明（设计）人：L·W·夏夫

主权项：一种用于预测在具有至少两个晶片表面的半导体晶片上沉积的污染物的方法，所述方法包括：使所述晶片与水接触第一时长；对所述晶片进行干燥；分析所述晶片以确定在所述晶片表面中的至少一个上的污染物；预测当使所述晶片与水接触短于所述第一时长的第二时长时将在所述晶片上沉积的所述污染物。

专利地区：美国