用于形成与量子阱晶体管的接触的技术专利登记公告

专利名称：用于形成与量子阱晶体管的接触的技术

摘要：公开了用于向在半导体异质结构中形成的器件提供低电阻自对准接触的技术。例如，可以采用所述技术形成与在III-V族和SiGe/Ge材料系中制造的量子阱晶体管的栅极、源极区和漏极区的接触。与在源极/漏极接触和栅极之间导致了相对较大的空间的常规接触工艺流程不同，由文中描述的技术提供的作为产物的源极和漏极接触是自对准的，因为每一接触均与栅极电极对准，并通过间隔体材料与之隔离。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058274.6

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：R·皮拉里塞;J·T·卡瓦列罗斯;B·舒-金;W·拉赫马迪;M·K·胡代特;N·慕克吉;M·拉多萨夫列维奇;R·S·周

主权项：一种用于为量子阱结构形成自对准接触的方法，包括：在所述量子阱结构上沉积金属层；穿过所述金属层蚀刻栅极沟槽，由此直接在所述栅极沟槽的相应侧面处界定源极和漏极接触；在所述栅极沟槽的侧面上沉积间隔体层；以及将栅极金属沉积到所述栅极沟槽内，以形成栅极电极。

专利地区：美国